三星携手ARM研发新一代制程芯片 或将下半年量产

　　【环球网科技综合报道】据外媒7月9日报道，三星公司宣布与ARM建立长期合作关系，双方将进一步优化7纳米及5纳米制程芯片使得ARM Cortex-A76处理器可以实现3GHz+的高频率。



　　三星表示，ARM的Cortex-A76将使用三星7纳米LPP制程及5纳米LPE制程，以达成超越当前ARM最快2.8GHz频率的3GHz+高频率效能。三星下一代5nm LPE工艺则基于7nm EUV工艺改良而成，具体信息尚未公布。三星7nm LPP将在今年下半年初步量产，第一款使用EUV光刻工艺技术的IP正在开发中，预计2019年上半年正式问世。

　　这表明三星的首款7nm将采用多图案成形的设计，其制造成本将显著提高。EUV技术的引入有望降低成本，但其不能直接提高芯片的性能。尽管EUV技术由于生产问题和存在的风险拖延了十多年都没有被正式引入，但目前该项目已取得了初步进展。



　　ARM物理设计事业部营销副总裁Kelvin Low表示，ARM和三星代工已基于Artisan物理IP开发了大量芯片，三星代工的7LPP和5LPE节点技艺可以满足其共同客户的需求，为他们提供从移动数据中心到高性能数据中心的第二代最新芯片系统。

　　英特尔和AMD都必须意识到ARM正在慢慢地成为服务器和高性能计算机市场上一股不可忽视的力量。(实习编译：杨璐洁 审稿：李宗泽)